الفرق بين غتو و سر

غتو مقابل سر

كل من سر (المعدل السيليكونى المحكم) و غتو (غيت تورن-أوف ثايرستور) نوعان من الثايرستور مصنوعين من أربع طبقات أشباه الموصلات. كلا الجهازين لديها ثلاثة محطات دعا الأنود، الكاثود والبوابة، حيث يتم استخدام نبض على البوابة للسيطرة على تدفق الحالي من خلال الجهاز.

سر (السيليكون التحكم المعدل)

سر هو الثايرستور وتستخدم على نطاق واسع في تطبيقات التصحيح الحالية. يتكون سر من أربع طبقات أشباه الموصلات بالتناوب (في شكل P-N-P-N)، وبالتالي يتكون من ثلاثة تقاطعات ين. في التحليل، ويعتبر هذا زوجا محكم بإحكام من بجتس (بنب واحد وغيرها في تكوين نين). وتسمى الطبقات الأبعد من نوع P و N أشباه الموصلات الأنود والكاثود على التوالي. القطب متصلة الداخلية P نوع طبقة أشباه الموصلات والمعروفة باسم "بوابة".

في العملية، تعمل سر عندما يتم توفير نبض إلى البوابة. وهي تعمل في أي من 'على' أو 'قبالة' الدولة. مرة واحدة يتم تشغيل البوابة مع نبض، سر يذهب إلى "على" الدولة والحفاظ على إجراء حتى يصبح تيار الحالي أقل من عتبة تعرف باسم "عقد الحالية".

سر هو جهاز الطاقة ومعظم الأوقات يتم استخدامه في التطبيقات التي تنطوي على التيارات العالية والفولتية. تطبيق سر الأكثر استخداما هو السيطرة (تصحيح) التيارات بالتناوب.

- 3>>

غتو (غيت تورن-أوف ثيريستور)

غتو هو أيضا نوع من الثايرستور مصنوع من أربع طبقات من نوع P و N من أشباه الموصلات، ولكن بنية الجهاز مختلفة قليلا عن سر. وتسمى أيضا ثلاثة محطات غتو أيضا "الأنود"، "الكاثود" و "بوابة".

في العمل، غتو يعمل عند تقديم نبض إلى البوابة. مرة واحدة يتم تشغيل البوابة مع نبض إيجابي، يذهب غتو إلى وضع إجراء مماثل ل سر.

بالإضافة إلى ملامح سر، "قبالة" الدولة من غتو هو أيضا يمكن السيطرة عليها من خلال نبض السلبية. في سر، وظيفة 'إيقاف' لا يحدث حتى تيار الأمام هو أقل من عتبة عقد الحالية.

غتوز هي أيضا أجهزة الطاقة وتستخدم غالبا في التطبيقات الحالية بالتناوب.

ما هو الفرق بين سر و غتو؟ 1. في سر، فقط وظيفة 'على' يمكن السيطرة عليها، في حين أن كل من 'على' و 'قبالة' وظائف يمكن السيطرة عليها في غتوس. 2. يستخدم غتو نبضات سلبية وإيجابية في العملية على عكس سر، والذي يستخدم نبضات إيجابية فقط. 3. كل من سر و غتو هي نوع من الثايرستور مع أربع طبقات أشباه الموصلات، ولكن مع اختلاف بسيط في الهيكل. 4. وتستخدم كل من الأجهزة في تطبيقات الطاقة العالية.